作者：王秀清光电子学束缚磁极化子线性组合算符自陷能
摘要：采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能随膜厚d的变化关系。得出束缚磁极化子的自陷能由两部分组成：第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的（Ee-LOtr）,第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的。后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献（Ee-SOtrso（＋）,Ee-SOtrso（-））。通过对KCl半导体膜的数值计算表明,Ee-phtr和磁极化子的振动频率λ随膜厚d的增加而减少;当膜厚大于5 nm时,总自陷能Ee-phtr趋于一稳定值。另外,由于稳恒磁场的存在,使磁极化子的自陷能增大,这主要是由于稳恒磁场的存在,使电子-声子间的相互作用改变而引起的.
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