作者：朱会丽; 陈厦平; 吴正云光电子学p型欧姆接触x射线光电子能谱雪崩光电探测器
摘要：对4H—SiC雪崩光电探测器的Ti／Al／AuP型欧姆接触进行了详细的研究。通过线性传输线模型（LTLM）测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触电阻为5．4×10^-4Ωcm^2。分别用扫描电子显微镜（SEM）、俄歇电子能谱（AES）、X射线光电子能谱（XPS）和X射线衍射谱（XRD）对退火前后的表面形貌、金属之间以及金一半接触界面之间相互反应及扩散情况进行测试与分析，发现了影响欧姆接触性能的主要原因。对采用此欧姆接触制备的4H—SiC雪崩光电探测器进行测试，发现器件的击穿电压约为-55V，此时其P型电极处的电压降仅为0．82mV，可以满足4H—SiC雪崩光电探测器在高压下工作的需要。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
