作者：廖毅; 王建新; 张勤耀光电子学红外焦平面探测器辐照效应碲镉汞
摘要：报道了γ射线辐照对薄膜材料碲镉汞（Hg1-xCdxTe）制备的中波红外焦平面列阵探测器性能的影响。γ射线辐照的剂量依次为3×10^6rad、9×10^6rad、2×10^7rad。测量了器件在辐照前及各个剂量辐照后的I-V特性、黑体响应、噪声等性能参数。通过分析实验数据，发现器件的暗电流，噪声随辐照剂量的增加而增大，黑体响应随辐照剂量的增大而减小。其中I-V特性受辐照影响最大，黑体响应和噪声对辐照不是很敏感。这些表明随着辐照剂量的增加，器件的性能逐步衰退。
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