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基于时域法的单条形InP/InGaAsP—EAM调制器的行波电极的仿真与实验研究

作者:蔡纯; 刘旭; 肖金标; 张明德; 孙小菡光电子学行波电极时域法特征阻抗损耗系数

摘要:行波电极(Traveling wave electrode,TW),是目前广泛采用的一种电极结构,可缩短光载波与调制信号的互作用长度,可有效避免分布电容(Contribution capacity,CR)对调制带宽的限制。基于时域法设计、分析了InP/InGaAsP—EAM调制器行波电极,并与实际制作的EAM的行波型TW进行了特征阻抗乙、损耗系数α对比,结果表明用时域法设计、计算的TW的特征阻抗、损耗系数与实测的结果符合的较好,特征阻抗约为45Ω,在0-20GHz的频率范围,损耗系数α小于4dB/mm。

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量子电子学报

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