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浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响第43-47页
关键词: 栅电流  浅沟槽隔离  隧穿  能带结构  
2019年第09期 《电子与封装》
应变Si NMOSFET总剂量效应第1-3页
关键词: 总剂量  阈值电压  隧穿  热载流子  栅电流  
2018年第09期 《电子科技》
CMOS晶体管漏电流分析第114-115页
关键词: 低功耗  亚阈值电流  栅电流  势垒下降效应  热载流子注射效应  
2018年第21期 《机电信息》
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制第3884-3888页
关键词: 超薄栅氧化层  导电机制  软击穿  半导体场效应晶体管  势垒高度  量子能级  隧穿电流  氧化物  压应力  栅电流  平均值  量子化  电子对  激发态  界面  缺陷  
2005年第08期 《物理学报》
0.5μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管第72-76页
关键词: 高电子迁移率晶体管  氮化镓  栅电流  射频特性  
2017年第08期 《西安交通大学学报》
高k介质纳米MOSFET栅电流和电容模型第6-10页
关键词: 高k  栅电流  量子模型  
2006年第06期 《南京邮电大学学报·自然科学版》
基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流模型第436-439页
关键词: 高k  栅电流  量子模型  
2006年第04期 《固体电子学研究与进展》
减少纳米MOS器件栅电流的研究分析第617-619页
关键词: 高k  栅电流  量子模型  mosfet  
2006年第03期 《电子器件》
纳米级MOSFET隧穿栅电流量子模型第622-625页
关键词: mosfet  高k介质  栅电流  量子模型  
2006年第05期 《微电子学》
AlGaAs/InGaAs PHEMT栅电流参数退化模型研究第389-394页
关键词: phemt  栅电流  肖特基接触  退化模型  
2013年第15期 《物理学报》
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