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3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为
第50-53页
关键词: 背照式cmos图像传感器 3mev质子 固定模式噪声 位移效应 电离总剂量效应
2019年第01期
《现代应用物理》
位移土压力模型及其在基坑工程中的应用
第83-84页
关键词: 基坑工程 开挖 土压力 位移效应
2004年第01期
《四川建筑科学研究》
磁共振成像中的化学
位移效应
(一)
第166-169页
关键词: 磁共振成像 位移效应 化学 原子核 氢质子 正电荷 电子 负电荷
2017年第02期
《影像诊断与介入放射学》
CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法
第30-36页
关键词: ccd 空间辐射效应 总剂量效应 位移效应 单粒子瞬态效应 地面模拟试验方法
2016年第04期
《现代应用物理》
铁电材料的核辐射效应
第33-36页
关键词: 铁电材料 核辐射 位移效应 电离效应
2007年第08期
《材料导报》
位移效应
对顺层边坡稳定性影响分析
第108-111页
关键词: 边坡 动力学方程 状态变量 位移效应
2013年第03期
《兰州理工大学学报》
用10 mev质子和钴60 γ射线进行ccd空间辐射效应评估
第-页
关键词: ccd 辐射效应 电离总剂量效应 位移效应
2008年第04期
《航天器环境工程》
中国农村内部的收入流动性:
位移效应
和增长效应
第3-14页
关键词: 收入流动性 位移效应 增长效应 中国农村
2010年第02期
《南方经济》
考虑位移影响的朗肯土压力计算模型
第48-50页
关键词: 土压力 位移效应 正切双曲函数 挡土墙
2008年第05期
《土工基础》
考虑
位移效应
的土压力计算理论
第3635-3639页
关键词: 位移效应 土压力 计算理论 非极限状态
2010年第11期
《岩土力学》
基于晶体管测量的中子注量在线实时测量系统
第-页
关键词: 位移效应 晶体管放大倍数 中子注量在线测量 虚拟仪器
2012年第05期
《太赫兹科学与电子信息学报》
CMOS有源像素图像传感器的辐照损伤效应
第945-950页
关键词: cmos aps 位移效应 总剂量效应 单粒子效应
2014年第06期
《半导体光电》
CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应
第202-206页
关键词: cmos有源像素传感器 中子辐照 像素单元 饱和输出电压 位移效应
2015年第09期
《强激光与粒子束》
质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究
第189-195页
关键词: 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 暗信号 质子辐射 位移效应
2015年第08期
《物理学报》
电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析
第231-238页
关键词: 电荷耦合器件 质子辐照 位移效应 输运仿真
2015年第11期
《物理学报》
电荷耦合器件中子辐照诱发的
位移效应
第44-49页
关键词: 电荷耦合器件 中子辐照 位移效应 电荷转移效率 暗信号
2016年第01期
《发光学报》
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