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富士通和爱普生宣布将联合开发下一代FRAM技术
第13-13页
关键词: 非易失存储器技术 精工爱普生公司 富士通公司 联合开发 fram 一代 铁电随机存储器 random access
2005年第09期
《单片机与嵌入式系统应用》
富士通和爱普生联合开发FRAM存储器
第-i005页
关键词: 非易失存储器技术 精工爱普生公司 联合开发 fram 富士通 铁电随机存储器 协议
2005年第07期
《世界电子元器件》
富士通与爱普生将开发下一代FRAM
第8-8页
关键词: fram 铁电随机存储器 非易失存储器 富士通公司 精工爱普生公司
2005年第08期
《中国集成电路》
铁电存储器及其关键集成工艺
第93-95页
关键词: 铁电存储器 集成工艺 铁电随机存储器 cmos工艺 pzt材料 还原性气体 铁电薄膜 工作原理 工艺流程 电容特性 关键问题 隔离层 氢气氛 制备
2005年第04期
《今日电子》
富士通和爱普生将联合开发下一代FRAM非易失性存储器技术
第48-48页
关键词: 非易失性存储器 精工爱普生公司 富士通公司 联合开发 fram 技术 一代 铁电随机存储器 random
2005年第08期
《电子与封装》
富士通和爱普生宣布将联合开发下一代FRAM非易失存储器技术
第45-45页
关键词: 非易失存储器技术 联合开发 fram 一代 精工爱普生公司 铁电随机存储器 random access memory 富士通公司 协议
2005年第14期
《计算机与网络》
富士通将上市新型8位微控制器
第7-7页
关键词: 8位微控制器 富士通 上市 铁电随机存储器 系统级封装 feram 数字产品 强介电体 16位 内存 闪存
2005年第07期
《机电工程技术》
近两年电子科技热点漫谈
第1-5页
关键词: 无线局域网 移动平台 64位处理器 超级计算机 闪速存储器 铁电随机存储器 自旋电子学 量子计算
2005年第02期
《现代电子技术》
富士通推出全新FRAM存储解决方案
第6-6页
关键词: 存储解决方案 富士通 fram 电子元器件 铁电随机存储器 高温环境 工业控制 汽车产业
2017年第07期
《中国集成电路》
富士通针对车载电子和工业控制系统推出全新FRAM存储解决方案
第26-26页
关键词: 电子元器件 工业控制系统 fram 存储解决方案 富士通 铁电随机存储器 车载 高温环境
2017年第06期
《汽车零部件》
基于伪静态存储器的设计
第61-64页
关键词: 静态存储器 设计 静态随机存储器 铁电随机存储器 内部存储器 psram 移动电话 fram
2007年第11期
《电子与电脑》
富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料
第131-131页
关键词: 东京工业大学 feram 富士通 材料 技术开发 铁电随机存储器
2006年第09期
《电子与电脑》
富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料
第131-131页
关键词: 东京工业大学 feram 富士通 材料 技术开发 铁电随机存储器
2006年第09期
《工业和信息化教育》
基于伪静态存储器的设计
第61-64页
关键词: 静态存储器 设计 静态随机存储器 铁电随机存储器 内部存储器 psram 移动电话 fram
2007年第11期
《工业和信息化教育》
富士通和东京工业大学开发256Mbit FeRAM新材料
第4-4页
关键词: 东京工业大学 feram 富士通 铁电随机存储器 数据存储容量 合成材料
2006年第09期
《中国集成电路》
富士通联合开发出FeRAM新材料
第14-14页
关键词: feram 富士通 铁电随机存储器 新材料 东京工业大学 数据存储容量
2006年第09期
《世界电子元器件》
65nm技术开发的FeRAM材举存储能力高达256Mb
第37-37页
关键词: feram 技术开发 256mb 存储能力 铁电随机存储器 数据存储容量 random access
2006年第10期
《今日电子》
富士通半导体推出基于0.18μm技术的全新SPI FRAM
第87-87页
关键词: fram spi 半导体 富士通 技术 铁电随机存储器 random access
2011年第08期
《电子与电脑》
富士通半导体推出基于0.18μm技术的全新SPI FRAM
第87-87页
关键词: fram spi 半导体 富士通 技术 铁电随机存储器 random access
2011年第08期
《工业和信息化教育》
基于伪静态存储器的设计
第67-70页
关键词: 静态存储器 设计人员 静态随机存储器 psram 铁电随机存储器 系统成本 竞争优势 产品供应
2008年第06期
《中国集成电路》
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