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MOCVD反应室模拟仿真研究
第5-8页
关键词: 有限元 反应室 流场
2019年第06期
《电子工业专用设备》
MOCVD反应室无镓无铝环境的获得及重要性分析
第2032-2037页
关键词: mocvd ga n基led 外延 al n si
2019年第11期
《人工晶体学报》
生长温度对InAs/GaAs横向异质结构纳米线形貌及晶体结构的影响
第2418-2425页
关键词: 纳米线 gaas inas
2019年第10期
《复合材料学报》
金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)
第648-653页
关键词: ingan gan 发光二极管 激光二极管 多量子阱 金属有机化学气相沉积 氮化物半导体 外延技术 生长
2005年第09期
《物理》
MOCVD材料生长重大装备项目
第65-65页
关键词: 材料生长 mocvd 装备 化合物半导体 规模化生产 沉积设备 金属有机物 半导体设备
2013年第01期
《中国粉体工业》
MOCVD装备技术及产业发展分析
第1-3页
关键词: mocvd led 高端装备 技术创新 产业发展
2013年第03期
《中国高新科技》
德豪润达巨资掌控LED产业链
第19-19页
关键词: 产业链 led mocvd 光电科技
2010年第14期
《中国工业评论》
MOCVD制备中温TiO2-Al2O3复合涂层及其抑焦性能研究
第1179-1185页
关键词: 沉积温度 抑制结焦 mocvd
2018年第07期
《化学研究与应用》
常压MOCVD法制备TiO2薄膜及性质研究
第22-24页
关键词: tio2薄膜 mocvd 锐钛矿 金红石 光学性质
2012年第03期
《赣南师范大学学报》
GaN外延MOCVD设备反应室温度场的有限元分析及均匀性优化
第1537-1542页
关键词: mocvd 感应加热 电磁场 温度场 有限元分析
2010年第11期
InPHBT的速度将会接近THz
第14-15页
关键词: 数字转换器 主要研究人员 inphbt thz 击穿电压 伊利诺斯大学 频率范围 异质结构 mocvd 高基
2005年第03期
《半导体信息》
日本GaN基器件研究进展
第26-26页
关键词: gan 器件研究 电气公司 德岛大学 应用物理学 快速热退火 肖特基 mocvd 欧姆接触 栅长
2004年第02期
《半导体信息》
导电性氧化镓单晶
第31-31页
关键词: 氧化镓 mocvd 蓝光发光二极管 早稻田大学 氮化镓 透过性
2004年第06期
《半导体信息》
中国大陆开发出第一支近UV激光二极管
第5-6页
关键词: 激光二极管 uv mocvd 近紫外 电探测器 超晶格 外延生长 多量子阱 批量生产 有源区
2005年第05期
《半导体信息》
EpiWorks完成InP/GaAsSb HBT外延片项目
第23-23页
关键词: 外延片 epiworks hbt 军事用途 高速数字 mocvd 基区 载流子迁移率 电流密度
2004年第01期
《半导体信息》
GaAs系列太阳电池技术与发展
第59-64页
关键词: gaas mocvd 多结太阳电池 效率
2004年第02期
《中国民航大学学报》
MOCVD系统反应室流场的模拟优化设计
第46-48页
关键词: mocvd 流场 数值模拟 优化设计
2018年第05期
《工业加热》
MOCVD制备禁带宽度2.1~2.2 eV的AlGaInP太阳电池
第1171-1173页
关键词: algainp 太阳电池 mocvd
2018年第08期
《电源技术》
激光辅助MOCVD方法制备YBCO带材的研究
第31-34页
关键词: 超导 ybco mocvd 激光辅助
2018年第05期
《电工材料》
Ceramic Films via Organometallic Complex as Single Source Precursor
第122-122页
关键词: mocvd fes film single source
2004年第Z1期
《合成化学》
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