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MOCVD反应室模拟仿真研究第5-8页
关键词: 有限元  反应室  流场  
MOCVD反应室无镓无铝环境的获得及重要性分析第2032-2037页
关键词: mocvd  ga  n基led  外延  al  n  si  
2019年第11期 《人工晶体学报》
生长温度对InAs/GaAs横向异质结构纳米线形貌及晶体结构的影响第2418-2425页
关键词: 纳米线  gaas  inas  
2019年第10期 《复合材料学报》
金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)第648-653页
关键词: ingan  gan  发光二极管  激光二极管  多量子阱  金属有机化学气相沉积  氮化物半导体  外延技术  生长  
2005年第09期 《物理》
MOCVD材料生长重大装备项目第65-65页
关键词: 材料生长  mocvd  装备  化合物半导体  规模化生产  沉积设备  金属有机物  半导体设备  
2013年第01期 《中国粉体工业》
MOCVD装备技术及产业发展分析第1-3页
关键词: mocvd  led  高端装备  技术创新  产业发展  
2013年第03期 《中国高新科技》
德豪润达巨资掌控LED产业链第19-19页
关键词: 产业链  led  mocvd  光电科技  
2010年第14期 《中国工业评论》
MOCVD制备中温TiO2-Al2O3复合涂层及其抑焦性能研究第1179-1185页
关键词: 沉积温度  抑制结焦  mocvd  
2018年第07期 《化学研究与应用》
常压MOCVD法制备TiO2薄膜及性质研究第22-24页
关键词: tio2薄膜  mocvd  锐钛矿  金红石  光学性质  
GaN外延MOCVD设备反应室温度场的有限元分析及均匀性优化第1537-1542页
关键词: mocvd  感应加热  电磁场  温度场  有限元分析  
2010年第11期
InPHBT的速度将会接近THz第14-15页
关键词: 数字转换器  主要研究人员  inphbt  thz  击穿电压  伊利诺斯大学  频率范围  异质结构  mocvd  高基  
2005年第03期 《半导体信息》
日本GaN基器件研究进展第26-26页
关键词: gan  器件研究  电气公司  德岛大学  应用物理学  快速热退火  肖特基  mocvd  欧姆接触  栅长  
2004年第02期 《半导体信息》
导电性氧化镓单晶第31-31页
关键词: 氧化镓  mocvd  蓝光发光二极管  早稻田大学  氮化镓  透过性  
2004年第06期 《半导体信息》
中国大陆开发出第一支近UV激光二极管第5-6页
关键词: 激光二极管  uv  mocvd  近紫外  电探测器  超晶格  外延生长  多量子阱  批量生产  有源区  
2005年第05期 《半导体信息》
EpiWorks完成InP/GaAsSb HBT外延片项目第23-23页
关键词: 外延片  epiworks  hbt  军事用途  高速数字  mocvd  基区  载流子迁移率  电流密度  
2004年第01期 《半导体信息》
GaAs系列太阳电池技术与发展第59-64页
关键词: gaas  mocvd  多结太阳电池  效率  
MOCVD系统反应室流场的模拟优化设计第46-48页
关键词: mocvd  流场  数值模拟  优化设计  
2018年第05期 《工业加热》
MOCVD制备禁带宽度2.1~2.2 eV的AlGaInP太阳电池第1171-1173页
关键词: algainp  太阳电池  mocvd  
2018年第08期 《电源技术》
激光辅助MOCVD方法制备YBCO带材的研究第31-34页
关键词: 超导  ybco  mocvd  激光辅助  
2018年第05期 《电工材料》
Ceramic Films via Organometallic Complex as Single Source Precursor第122-122页
关键词: mocvd  fes  film  single  source  
2004年第Z1期 《合成化学》