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蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究
第132-138页
关键词: 太赫兹探测器 高电子迁移率场效应晶体管 磷化铟 蝶形天线 分子束外延
2019年第09期
《红外与激光工程》
半导体所研制出世界第一个短腔长单模应变补偿铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器
第23-23页
关键词: 量子级联激光器 腔长 阈值电流 单模 毫瓦 分布反馈 激射 输出功率 磷化铟 准连续
2005年第04期
《半导体信息》
高质量量子点的可控合成及其在LED照明中的应用研究
第1-4页
关键词: 量子点 发光二极管 钙钛矿 磷化铟 光谱组装
2018年第04期
《灯与照明》
基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器
第97-101页
关键词: 全加器 双异质结双极型晶体管 磷化铟 超高速电路 电流模逻辑
2019年第02期
《固体电子学研究与进展》
基于InP DHBT工艺集成高速同步功能的13 GS/s单比特ADC
第29-33页
关键词: 单比特量化 模数转换器 磷化铟 超宽带 同步电路
2019年第03期
《微波学报》
InP微透镜的设计与制作
第296-301页
关键词: 微透镜 高速光电探测器 胶型
2018年第04期
《微纳电子技术》
液封直拉富铟InP中铟夹杂的纵向和横向分布
第358-363页
关键词: 晶体生长 化合物半导体 非配比熔体 铟夹杂
2019年第05期
《微纳电子技术》
WCDMA用HBT功放模块
第104-104页
关键词: 功放模块 hbt 微波单片集成电路 异质结双极晶体管 wcdma手机 输出功率 ingap 温度稳定性 hsdpa am系列 频率范围 静态电流 磷化铟 可靠性 坚固性 操作性 线性度
2005年第05期
《今日电子》
富磷熔体中生长的φ100mm掺硫InP单晶研究
第134-137页
关键词: 磷化铟 掺硫单晶材料 位错密度 原位磷注入合成法 富磷熔体
2004年第01期
《固体电子学研究与进展》
可改善光谱范围的红外探测器列阵
第45-45页
关键词: 光谱范围 红外探测器列阵 读出集成电路 化学腐蚀工艺 机械技术 砷镓铟 衬底 磷化铟 制成 膜层 减薄 硅
2005年第04期
《红外》
InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究
第116-119页
关键词: 半导体光放大器 磷化铟 应变补偿结构 晶格匹配 偏振灵敏度 量子阱结构
2004年第02期
《液晶与显示》
太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制
第135-139页
关键词: 磷化铟 赝配高电子迁移率晶体管 在片测试 单片集成电路
2018年第02期
《红外与毫米波学报》
磷化铟
的化学机械抛光技术研究进展
第201-210页
关键词: 磷化铟 抛光机理 抛光液 加工工艺
2018年第03期
《半导体技术》
InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究
第15-18页
关键词: 磷化铟 赝配超晶格高电子辽移率晶体管 低温合金 欧姆接触
2005年第10期
《半导体技术》
Φ100mm掺硫InP单晶生长研究
第31-34页
关键词: 磷化铟 单晶生长 位错密度 大容量直接合成
2004年第03期
《半导体技术》
光子晶体模数(A—D)转换可直接对千兆赫信号采样
第53-53页
关键词: 千兆赫 光子晶体 异质结双极晶体管 hbt 磷化铟 级联 信号采样 体模 直接 研究人员
2005年第01期
《大气与环境光学学报》
InP DHBT器件与电路的研究进展
第881-884页
关键词: 磷化铟 dhbt 超高速集成电路 太赫兹 微系统 异质集成
2017年第06期
《微电子学》
InP/GaAs低温键合的新方法
第416-418页
关键词: 低温键合 磷化铟 砷化镓 键合强度
2005年第03期
《功能材料》
第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇
第43-46页
关键词: 半导体材料 第3代 通讯 宽禁带半导体 碳化硅 氮化镓 砷化镓 磷化铟
2018年第01期
《新材料产业》
GamPn和GamPn^-团簇结构及其光电子能谱的理论研究
第1056-1062页
关键词: 密度泛函理论 光电子能谱 振动光谱性质 磷化镓 磷化铟 砷化镓 半导体材料
2004年第04期
《物理学报》
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