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蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究第132-138页
关键词: 太赫兹探测器  高电子迁移率场效应晶体管  磷化铟  蝶形天线  分子束外延  
2019年第09期 《红外与激光工程》
半导体所研制出世界第一个短腔长单模应变补偿铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器第23-23页
关键词: 量子级联激光器  腔长  阈值电流  单模  毫瓦  分布反馈  激射  输出功率  磷化铟  准连续  
2005年第04期 《半导体信息》
高质量量子点的可控合成及其在LED照明中的应用研究第1-4页
关键词: 量子点  发光二极管  钙钛矿  磷化铟  光谱组装  
2018年第04期 《灯与照明》
基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器第97-101页
关键词: 全加器  双异质结双极型晶体管  磷化铟  超高速电路  电流模逻辑  
基于InP DHBT工艺集成高速同步功能的13 GS/s单比特ADC第29-33页
关键词: 单比特量化  模数转换器  磷化铟  超宽带  同步电路  
2019年第03期 《微波学报》
InP微透镜的设计与制作第296-301页
关键词: 微透镜  高速光电探测器  胶型  
2018年第04期 《微纳电子技术》
液封直拉富铟InP中铟夹杂的纵向和横向分布第358-363页
关键词: 晶体生长  化合物半导体  非配比熔体  铟夹杂  
2019年第05期 《微纳电子技术》
WCDMA用HBT功放模块第104-104页
关键词: 功放模块  hbt  微波单片集成电路  异质结双极晶体管  wcdma手机  输出功率  ingap  温度稳定性  hsdpa  am系列  频率范围  静态电流  磷化铟  可靠性  坚固性  操作性  线性度  
2005年第05期 《今日电子》
富磷熔体中生长的φ100mm掺硫InP单晶研究第134-137页
关键词: 磷化铟  掺硫单晶材料  位错密度  原位磷注入合成法  富磷熔体  
可改善光谱范围的红外探测器列阵第45-45页
关键词: 光谱范围  红外探测器列阵  读出集成电路  化学腐蚀工艺  机械技术  砷镓铟  衬底  磷化铟  制成  膜层  减薄  硅  
2005年第04期 《红外》
InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究第116-119页
关键词: 半导体光放大器  磷化铟  应变补偿结构  晶格匹配  偏振灵敏度  量子阱结构  
2004年第02期 《液晶与显示》
太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制第135-139页
关键词: 磷化铟  赝配高电子迁移率晶体管  在片测试  单片集成电路  
磷化铟的化学机械抛光技术研究进展第201-210页
关键词: 磷化铟  抛光机理  抛光液  加工工艺  
2018年第03期 《半导体技术》
InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究第15-18页
关键词: 磷化铟  赝配超晶格高电子辽移率晶体管  低温合金  欧姆接触  
2005年第10期 《半导体技术》
Φ100mm掺硫InP单晶生长研究第31-34页
关键词: 磷化铟  单晶生长  位错密度  大容量直接合成  
2004年第03期 《半导体技术》
光子晶体模数(A—D)转换可直接对千兆赫信号采样第53-53页
关键词: 千兆赫  光子晶体  异质结双极晶体管  hbt  磷化铟  级联  信号采样  体模  直接  研究人员  
InP DHBT器件与电路的研究进展第881-884页
关键词: 磷化铟  dhbt  超高速集成电路  太赫兹  微系统  异质集成  
2017年第06期 《微电子学》
InP/GaAs低温键合的新方法第416-418页
关键词: 低温键合  磷化铟  砷化镓  键合强度  
2005年第03期 《功能材料》
第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇第43-46页
关键词: 半导体材料  第3代  通讯  宽禁带半导体  碳化硅  氮化镓  砷化镓  磷化铟  
2018年第01期 《新材料产业》
GamPn和GamPn^-团簇结构及其光电子能谱的理论研究第1056-1062页
关键词: 密度泛函理论  光电子能谱  振动光谱性质  磷化镓  磷化铟  砷化镓  半导体材料  
2004年第04期 《物理学报》