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光电流飞行时间法研究聚己基噻吩(P3HT)中载流子的输运机制
第271-275页
关键词: 空穴迁移率 飞行时间法 p3ht
2019年第03期
《光散射学报》
IBM开发了两项半导体制造新技术
第24-24页
关键词: 半导体制造 ibm 半导体元件 绝缘膜 能将 研究中心 电子迁移率 空穴迁移率
2004年第01期
《半导体信息》
应变硅
第243-243页
关键词: 应变硅 高电子迁移率 空穴迁移率 工艺要求 晶格结构 器件性能 晶体结构 pmos nmos 收缩力 应力
2005年第05期
《微纳电子技术》
旋涂法制备量子点LED功能层材料的研究进展
第225-233页
关键词: 旋涂法 电子迁移率 空穴迁移率
2018年第04期
《微纳电子技术》
溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用
第123-128页
关键词: 氧化锌薄膜 纳米薄膜 禁带宽度 半导体材料 载流子浓度 电子迁移率 空穴迁移率
2004年第02期
《发光学报》
截止波长12μm的p型-InAs_0.04Sb_0.96材料的熔体外延生长
第1231-1234页
关键词: inassb 截止波长 空穴迁移率 组分分布
2009年第05期
《光子学报》
引入液晶小分子实现高效厚膜三元有机太阳能电池
第447-448页
关键词: 有机太阳能电池 有机太阳电池 光伏材料 有机聚合物 可调范围 厚膜 双分子复合 活性层 空穴迁移率 短路电流
2017年第03期
《物理化学学报》
有机半导体NPB
空穴迁移率
的快速确定
第97-100页
关键词: 有机半导体 npb 空穴迁移率 空间电荷
2014年第04期
《兰州理工大学学报》
考虑库仑散射屏蔽效应的Si1-xGex pMOSFET低场
空穴迁移率
模型
第193-197页
关键词: p沟金属氧化物半导体场效应晶体管 应变锗硅合金 空穴迁移率
2008年第02期
《固体电子学研究与进展》
富勒烯掺杂NPB空穴传输层的有机电致发光器件
第4931-4935页
关键词: 有机电致发光器件 空穴迁移率
2009年第07期
《物理学报》
聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性
第3456-3460页
关键词: 空穴迁移率 聚合物
2009年第05期
《物理学报》
MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响
第941-943页
关键词: 空穴迁移率 moo3缓冲层 有机薄膜晶体管 阈值电压
2012年第06期
《电子科技大学学报》
硅基不同晶面上的
空穴迁移率
研究
第297-301页
关键词: 空穴迁移率 晶面 沟道方向 有效电场
2013年第04期
《半导体技术》
美国科学家用电沉积法制备锂电池用锗纳米线
第1781-1782页
关键词: 锗纳米线 电沉积法 cmos晶体管 锂电池 空穴迁移率 制备 家用 科学
2014年第10期
《电源技术》
金属氧化物掺杂调控空穴迁移特性构建高效率低电压OLED
第19-21页
关键词: 空穴迁移率 掺杂 载流子平衡
2014年第01期
《电工材料》
Charge Transfer Properties of Organic Semiconductor Molecules of Perylene Derivatives
第335-343页
关键词: 分子内氢键 有机半导体 电荷转移 衍生物 空穴迁移率 性质 密度泛函理论 电子注入
2015年第03期
《结构化学》
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