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光电流飞行时间法研究聚己基噻吩(P3HT)中载流子的输运机制第271-275页
关键词: 空穴迁移率  飞行时间法  p3ht  
2019年第03期 《光散射学报》
IBM开发了两项半导体制造新技术第24-24页
关键词: 半导体制造  ibm  半导体元件  绝缘膜  能将  研究中心  电子迁移率  空穴迁移率  
2004年第01期 《半导体信息》
应变硅第243-243页
关键词: 应变硅  高电子迁移率  空穴迁移率  工艺要求  晶格结构  器件性能  晶体结构  pmos  nmos  收缩力  应力  
2005年第05期 《微纳电子技术》
旋涂法制备量子点LED功能层材料的研究进展第225-233页
关键词: 旋涂法  电子迁移率  空穴迁移率  
2018年第04期 《微纳电子技术》
溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用第123-128页
关键词: 氧化锌薄膜  纳米薄膜  禁带宽度  半导体材料  载流子浓度  电子迁移率  空穴迁移率  
2004年第02期 《发光学报》
截止波长12μm的p型-InAs_0.04Sb_0.96材料的熔体外延生长第1231-1234页
关键词: inassb  截止波长  空穴迁移率  组分分布  
2009年第05期 《光子学报》
引入液晶小分子实现高效厚膜三元有机太阳能电池第447-448页
关键词: 有机太阳能电池  有机太阳电池  光伏材料  有机聚合物  可调范围  厚膜  双分子复合  活性层  空穴迁移率  短路电流  
2017年第03期 《物理化学学报》
有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定第97-100页
关键词: 有机半导体  npb  空穴迁移率  空间电荷  
考虑库仑散射屏蔽效应的Si1-xGex pMOSFET低场空穴迁移率模型第193-197页
关键词: p沟金属氧化物半导体场效应晶体管  应变锗硅合金  空穴迁移率  
富勒烯掺杂NPB空穴传输层的有机电致发光器件第4931-4935页
关键词: 有机电致发光器件  空穴迁移率  
2009年第07期 《物理学报》
聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性第3456-3460页
关键词: 空穴迁移率  聚合物  
2009年第05期 《物理学报》
MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响第941-943页
关键词: 空穴迁移率  moo3缓冲层  有机薄膜晶体管  阈值电压  
硅基不同晶面上的空穴迁移率研究第297-301页
关键词: 空穴迁移率  晶面  沟道方向  有效电场  
2013年第04期 《半导体技术》
美国科学家用电沉积法制备锂电池用锗纳米线第1781-1782页
关键词: 锗纳米线  电沉积法  cmos晶体管  锂电池  空穴迁移率  制备  家用  科学  
2014年第10期 《电源技术》
金属氧化物掺杂调控空穴迁移特性构建高效率低电压OLED第19-21页
关键词: 空穴迁移率  掺杂  载流子平衡  
2014年第01期 《电工材料》
Charge Transfer Properties of Organic Semiconductor Molecules of Perylene Derivatives第335-343页
关键词: 分子内氢键  有机半导体  电荷转移  衍生物  空穴迁移率  性质  密度泛函理论  电子注入  
2015年第03期 《结构化学》