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碳化硅器件建模与杂散参数影响机理第27-37页
关键词: 宽禁带半导体器件  动静态特性建模  非线性寄生电容  杂散电感  分阶段开关状态方程  电压电流尖峰与振铃  
2020年第01期 《电机与控制学报》
宽禁带半导体器件研究现状与展望第1-11页
关键词: 宽禁带半导体器件  碳化硅  氮化镓  
2016年第01期 《电气工程学报》
功率半导体器件辐射效应综述第690-694页
关键词: 硅功率器件  宽禁带半导体器件  总剂量效应  单粒子效应  
2017年第05期 《微电子学》
SiC电力电子器件研究现状及新进展第744-753页
关键词: sic  电力电子器件  宽禁带半导体器件  igbt  欧姆接触  mosfet  
2017年第10期 《半导体技术》
GaN功率器件及其应用现状与发展第187-196页
关键词: 宽禁带半导体器件  氮化镓  电力电子技术  现状  发展  
2016年第04期 《上海电机学院学报》
宽禁带半导体器件的发展第6-10页
关键词: 宽禁带半导体器件  相控阵雷达  电子战系统  水下光通信  精确制导  
2006年第01期 《中国电子科学研究院学报》
考虑寄生参数的高压GaN高电子迁移率晶体管的逆变器动态过程分析第126-134页
关键词: 宽禁带半导体器件  氮化镓高电子迁移率晶体管  动态过程  
2016年第12期 《电工技术学报》
Cascode型GaN HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究第295-303页
关键词: 宽禁带半导体器件  gan  hemt  共源共栅结构  输出伏安特性  
2015年第14期 《电工技术学报》
宽禁带半导体器件研究现状与展望第1-11页
关键词: 宽禁带半导体器件  碳化硅  氮化镓  
2016年第01期 《电气制造》
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