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Solidification and Crystal Growth on the SJ-10 Recoverable Scientific Experiment Satellite第836-838页
关键词: 科学实验卫星  水晶生长  inassb  金属合金  复合半导体  半导体合金  生长技术  材料科学  
2018年第05期 《空间科学学报》
近室温工作的中长波InAsSb探测器第1266-1269页
关键词: inassb  近室温工作  光谱响应  峰值响应率  
2018年第12期 《光电子激光》
熔体外延法生长的截止波长12 μm的InAs0.04Sb0.96的电学性质第1329-1332页
关键词: inassb  电子迁移率  散射  纯度  
2005年第11期 《光电子激光》
截止波长12μm的p型-InAs_0.04Sb_0.96材料的熔体外延生长第1231-1234页
关键词: inassb  截止波长  空穴迁移率  组分分布  
2009年第05期 《光子学报》
GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究第1363-1366页
关键词: gasb  inassb  生长温度  
2005年第09期 《光子学报》
LP-MOCVD两步生长法制备的InAs0.9Sb0.1/GaAs第246-250页
关键词: 金属有机化学气相沉积  inassb  两步生长法  gaas  
2007年第02期 《发光学报》
InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究第5-9页
关键词: inassb  光学常数  椭偏光谱  液相外延  
截止波长12μm的InAs_0.04Sb_0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究第67-70页
关键词: 禁带宽度  电学性质  
2007年第01期 《光电子激光》
GaSb衬底上InAsSb材料的电学性能研究第59-61页
关键词: inassb  电学性能  分子束外延  
2016年第03期 《航空兵器》
低温退火对InAsSb材料结构特性的影响第606-608页
关键词: xps  inassb  扩散  
非致冷InAsSb中长波红外探测器研究评述第11-18页
关键词: inassb  探测器  非致冷  
美国喷气推进实验室研制截止波长可定制的势垒红外探测器第37-37页
关键词: 美国喷气推进实验室  红外探测器  截止波长  可定制  实验室研制  势垒  inassb  中波红外  
2011年第05期 《红外》
长波InAsSb材料的结构特性研究第14-16页
关键词: inassb  熔体外延  结构性质  组分分布  
2012年第01期 《电子与封装》
用液相外延法生长3~7μ,波段InAs/InAs1-ySby及其光学和电学性质第286-290页
关键词: 光学性质  电学性质  
2012年第02期 《光电子激光》
光导型InAsSb红外探测器的研制第93-95页
关键词: 光导型红外探测器  inassb  长波红外材料  熔体外延  
2012年第18期 《电子设计工程》
中科院在锑化物纳粹线研究领域取得系列进展第25-25页
关键词: 锑化物  中国科学院半导体研究所  中科院  inassb  纳粹  纳米线  研究人员  铟砷锑  
非制冷型中长波铟砷锑探测器第45-48页
关键词: 非制冷红外光子探测器  inassb  峰值探测率  光谱响应  
2014年第02期 《电子与封装》
InAsSb材料的LP-MOCVD生长第733-735页
关键词: inassb  超晶格  gasb衬底  红外探测器  
2015年第05期 《半导体光电》
非制冷型InAsSb光探测器在8~9μm波长的性能提高第825-828页
关键词: inassb  非制冷型光子探测器  光谱响应  探测率  
2015年第05期 《光电子激光》