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Solidification and Crystal Growth on the SJ-10 Recoverable Scientific Experiment Satellite
第836-838页
关键词: 科学实验卫星 水晶生长 inassb 金属合金 复合半导体 半导体合金 生长技术 材料科学
2018年第05期
《空间科学学报》
近室温工作的中长波InAsSb探测器
第1266-1269页
关键词: inassb 近室温工作 光谱响应 峰值响应率
2018年第12期
《光电子激光》
熔体外延法生长的截止波长12 μm的InAs0.04Sb0.96的电学性质
第1329-1332页
关键词: inassb 电子迁移率 散射 纯度
2005年第11期
《光电子激光》
截止波长12μm的p型-InAs_0.04Sb_0.96材料的熔体外延生长
第1231-1234页
关键词: inassb 截止波长 空穴迁移率 组分分布
2009年第05期
《光子学报》
GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究
第1363-1366页
关键词: gasb inassb 生长温度
2005年第09期
《光子学报》
LP-MOCVD两步生长法制备的InAs0.9Sb0.1/GaAs
第246-250页
关键词: 金属有机化学气相沉积 inassb 两步生长法 gaas
2007年第02期
《发光学报》
InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究
第5-9页
关键词: inassb 光学常数 椭偏光谱 液相外延
2007年第01期
《红外与毫米波学报》
截止波长12μm的InAs_0.04Sb_0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究
第67-70页
关键词: 禁带宽度 电学性质
2007年第01期
《光电子激光》
GaSb衬底上InAsSb材料的电学性能研究
第59-61页
关键词: inassb 电学性能 分子束外延
2016年第03期
《航空兵器》
低温退火对InAsSb材料结构特性的影响
第606-608页
关键词: xps inassb 扩散
2009年第A02期
《稀有金属材料与工程》
非致冷InAsSb中长波红外探测器研究评述
第11-18页
关键词: inassb 探测器 非致冷
2010年第01期
《中国电子科学研究院学报》
美国喷气推进实验室研制截止波长可定制的势垒红外探测器
第37-37页
关键词: 美国喷气推进实验室 红外探测器 截止波长 可定制 实验室研制 势垒 inassb 中波红外
2011年第05期
《红外》
长波InAsSb材料的结构特性研究
第14-16页
关键词: inassb 熔体外延 结构性质 组分分布
2012年第01期
《电子与封装》
用液相外延法生长3~7μ,波段InAs/InAs1-ySby及其光学和电学性质
第286-290页
关键词: 光学性质 电学性质
2012年第02期
《光电子激光》
光导型InAsSb红外探测器的研制
第93-95页
关键词: 光导型红外探测器 inassb 长波红外材料 熔体外延
2012年第18期
《电子设计工程》
中科院在锑化物纳粹线研究领域取得系列进展
第25-25页
关键词: 锑化物 中国科学院半导体研究所 中科院 inassb 纳粹 纳米线 研究人员 铟砷锑
2016年第05期
《军民两用技术与产品》
非制冷型中长波铟砷锑探测器
第45-48页
关键词: 非制冷红外光子探测器 inassb 峰值探测率 光谱响应
2014年第02期
《电子与封装》
InAsSb材料的LP-MOCVD生长
第733-735页
关键词: inassb 超晶格 gasb衬底 红外探测器
2015年第05期
《半导体光电》
非制冷型InAsSb光探测器在8~9μm波长的性能提高
第825-828页
关键词: inassb 非制冷型光子探测器 光谱响应 探测率
2015年第05期
《光电子激光》
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