hemt器件论文_学术之家

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究第26-37页

关键词: 6英寸si衬底 cmos工艺常关型

2019年第03期《电源学报》

一种新型的常通型GaN HEMT器件第1101-1104页

关键词: 常通型 gan hemt器件高频电流崩塌

2018年第05期《电子器件》

增强型AlGaN/GaN HEMT势垒层优化设计第52-55页

关键词: hemt器件势垒层厚度 al组分

2018年第08期《电子科技》

苏州纳米所在增强型GaN HEMT器件研究方面取得进展第230-230页

关键词: hemt器件增强型纳米苏州高电子迁移率二维电子气异质结界面

2017年第02期《人工晶体学报》

中科院苏州纳米所增强型GaN HEMT器件研究获进展第26-26页

关键词: algan 纳米技术 hemt器件增强型苏州中科院高电子迁移率晶体管等离子体

2017年第05期《军民两用技术与产品》

钨金属栅AIGaNGaN_高电子迁移率晶体管的性能研究第184-185页

关键词: 钨金属栅 aigan gan hemt器件栅极材料

2013年第21期《电子技术与软件工程》

X波段低温低噪声放大器的研制第70-74页

关键词: 低温低噪声放大器 hemt器件 vlt法

2009年第12期《低温与超导》

S波段T/R组件用GaN功率放大器链的设计第56-57页

关键词: hemt器件混合集成电路高功率放大器 s波段

2011年第08期《现代雷达》

发展中的GaN微电子（二）第353-357页

关键词: gan 微电子 hemt器件 gaas 二维电子高功率密度可靠性 sic

2011年第04期《中国电子科学研究院学报》

不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化第94-97页

关键词: hemt器件表面态势垒层陷阱高场应力

2008年第S1期《半导体技术》

高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究第511-517页

关键词: hemt器件势垒层陷阱应力

2009年第01期《物理学报》

Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究第536-540页

关键词: 原子层淀积温度特性

2009年第01期《物理学报》

^60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响第1161-1165页

关键词: hemt器件表面态

2009年第02期《物理学报》

GaN基HEMT器件特性建模及表征方法研究第38-40页

关键词: hemt器件器件特性 gan 表征方法二维电子气建模物理参数器件结构

2011年第07期《电子世界》

高导热GaN功率管外壳第F0003-F0003页

关键词: 功率管 gan 高导热外壳南京电子器件研究所 hemt器件铜复合材料常规工艺

2012年第06期《固体电子学研究与进展》

0．15μm栅长Ka波段GaN功率HEMT器件第F0003-F0003页

关键词: hemt器件功率密度 ka波段电子迁移率频率特性毫米波器件二维电子气

2012年第01期《固体电子学研究与进展》

微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MIS-HEMT器件第37-37页

关键词: hemt器件增强型氮化镓国际微电子西安电子科技大学香港科技大学功率电子器件

2015年第08期《电子元件与材料》

简讯第81-81页

关键词: 纳米电子器件高电子迁移率晶体管光刻工艺 hemt器件单电子晶体管基础研究量子输运科技平台

2015年第01期《西安电子科技大学学报》

国际先进的增强型氮化镓MIS-HEMT器件问世第24-24页

关键词: hemt器件增强型氮化镓国际高电子迁移率晶体管刻蚀工艺研究人员电子研究所

2015年第17期《军民两用技术与产品》

浅析GaN基新型结构HEMT器件第93-94页

关键词: gan基 hemt器件毫米波

2015年第15期《科技创业月刊》