关键词: 出货量  finfet  半导体工艺  山丘  绝缘体上硅  晶体管  耗尽型  英特尔  

2019年第10期 《中国集成电路》

关键词: 增强型  耗尽型  phemt  低噪声放大器  单片微波集成电路  二维电子气  

2019年第09期 《红外》

关键词: 耗尽型  器件模拟  双栅  态密度  

2019年第06期 《微电子学》

关键词: 场效应管  沟道  增强型  耗尽型  容性负载  

2018年第13期 《电子测试》

关键词: 节能技术  饮料生产  可持续发展  食品企业  节能降耗  社会责任感  耗尽型  道路  

2009年第12期 《中国食品工业》

关键词: dac芯片  gan  数模转换器  南京电子器件研究所  晶体管设计  耗尽型  

2017年第02期 《固体电子学研究与进展》

关键词: 氮化镓  高电子迁移率场效应晶体管  耗尽型  驱动电路  开关变换器  

2016年第06期 《西安科技大学学报》

关键词: soi衬底  成像仪  cmos  雪崩光电二极管  耗尽型  高密度  氧化物  

2007年第09期 《集成电路应用》

关键词: mosfet  激励电源  耗尽型  双极晶体管  功率因数校正  开关型电源  反激变换器  

2008年第04期 《电子设计技术》

关键词: 砷化镓  数控衰减器  增强型  耗尽型  赝配高电子迁移率晶体管  

2010年第01期 《固体电子学研究与进展》

关键词: 耗尽型  高压ldmos  线性漂移区  

2008年第09期 《半导体技术》

关键词: 耗尽型  互补金属氧化物半导体  低功耗  电压源  过充电  过放电  

2008年第02期 《微纳电子技术》

关键词: 砷化镓  增强型  耗尽型  射频开关  赝配高电子迁移率晶体管  

2012年第04期 《固体电子学研究与进展》

关键词: 增强  耗尽型  均方根衰减误差  ttl  数控衰减器  赝配高电子迁移率晶体管  

2013年第04期 《半导体技术》

关键词: 砷化镓  增强  6  bit单片数控衰减器  正压控制电路  

2013年第12期 《半导体技术》

关键词: 意法半导体  合作协议  三星电子  绝缘层上硅  株式会社  耗尽型  

2014年第07期 《中国集成电路》

关键词: 场效应管  耗尽型  增强型  n沟道  p沟道  

2015年第03期 《物探装备》