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至2008为止GaN发光二极管市场年增长率将达195%
第16-16页
关键词: gan发光二极管 市场 年增长率 2008年
2004年第02期
《光盘技术》
金属表面等离子体对GaN-LED光提取特性的影响
第55-60页
关键词: gan发光二极管 光子晶体 金属表面等离子体 光提取
2019年第03期
《天津工业大学学报》
GaN发光二极管的微透镜列阵
第60-60页
关键词: gan发光二极管 微透镜列阵 斯特拉思克莱德大学 微发光二极管
2004年第10期
《激光与光电子学进展》
组份渐变电子阻挡层对InGaN/GaN LED光电特性的影响
第711-715页
关键词: 组份渐变电子阻挡层 空穴注入效率
2016年第05期
《微电子学》
GaN发光二极管表观电容极值分析
第237-240页
关键词: gan发光二极管 负电容 可变电容 极值
2007年第02期
《发光学报》
GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究
第56-61页
关键词: 半导体照明 gan发光二极管 流明效率 照明系统合成
2009年第01期
《真空与低温》
GaN发光二极管表观电阻极值分析
第337-341页
关键词: gan发光二极管 表现电阻
2008年第02期
《发光学报》
基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理
第5700-5704页
关键词: gan发光二极管 负电容 电导 老化机理
2009年第08期
《物理学报》
400nm高性能紫光LED的制作与表征
第225-229页
关键词: 金属有机物化学气相沉积 紫光发光二极管 gan发光二极管 电子阻挡层 超晶格
2013年第02期
《发光学报》
In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响
第1233-1239页
关键词: in含量 效率下降 数值模拟
2013年第09期
《发光学报》
单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究
第107-115页
关键词: 光电子学 量子阱垒高 in含量 数值模拟 ingan gan发光二极管
2014年第01期
《量子电子学报》
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