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至2008为止GaN发光二极管市场年增长率将达195%第16-16页
关键词: gan发光二极管  市场  年增长率  2008年  
2004年第02期 《光盘技术》
金属表面等离子体对GaN-LED光提取特性的影响第55-60页
关键词: gan发光二极管  光子晶体  金属表面等离子体  光提取  
GaN发光二极管的微透镜列阵第60-60页
关键词: gan发光二极管  微透镜列阵  斯特拉思克莱德大学  微发光二极管  
组份渐变电子阻挡层对InGaN/GaN LED光电特性的影响第711-715页
关键词: 组份渐变电子阻挡层  空穴注入效率  
2016年第05期 《微电子学》
GaN发光二极管表观电容极值分析第237-240页
关键词: gan发光二极管  负电容  可变电容  极值  
2007年第02期 《发光学报》
GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究第56-61页
关键词: 半导体照明  gan发光二极管  流明效率  照明系统合成  
2009年第01期 《真空与低温》
GaN发光二极管表观电阻极值分析第337-341页
关键词: gan发光二极管  表现电阻  
2008年第02期 《发光学报》
基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理第5700-5704页
关键词: gan发光二极管  负电容  电导  老化机理  
2009年第08期 《物理学报》
400nm高性能紫光LED的制作与表征第225-229页
关键词: 金属有机物化学气相沉积  紫光发光二极管  gan发光二极管  电子阻挡层  超晶格  
2013年第02期 《发光学报》
In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响第1233-1239页
关键词: in含量  效率下降  数值模拟  
2013年第09期 《发光学报》
单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究第107-115页
关键词: 光电子学  量子阱垒高  in含量  数值模拟  ingan  gan发光二极管  
2014年第01期 《量子电子学报》