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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌第313-323页
关键词: 实时能带  非稳态能带  电流崩塌  能带峰耗尽  局域电子气势垒  电流崩塌能带模型  陷阱  
界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响第915-921页
关键词: 电流崩塌  aln栅介质插入层  界面处理  
2019年第07期 《发光学报》
GaN HFET中的能带峰耗尽第389-397页
关键词: 电流崩塌  强场峰耗尽  场效应管能带  局域电子气势垒  电流崩塌能带模型  
一种新型的常通型GaN HEMT器件第1101-1104页
关键词: 常通型  gan  hemt器件  高频  电流崩塌  
2018年第05期 《电子器件》
Ⅲ族氮化物HFET中的电流崩塌和二维电子气第15-19页
关键词: hfet  电流崩塌  二维电子气  异质结构  
2004年第01期 《微纳电子技术》
基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AlGaN/GaNMISHEMT器件对比第734-739页
关键词: 同质外延  电流崩塌  
2017年第11期 《微纳电子技术》
AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究第335-338页
关键词: 高电子迁移率晶体管  电流崩塌  表面态  阶跃脉冲  
微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计第456-463页
关键词: 二维异质结构  hfet沟道中的强场峰  能带剪裁  极化电荷  电流崩塌  
GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究第856-858页
关键词: 氮化镓  表面态  电流崩塌  
2006年第11期 《半导体技术》
GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究第722-724页
关键词: gan  hemt  电荷输运  表面态  电流崩塌  
2006年第06期 《微电子学》
应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响第5-8页
关键词: gan  hemt  电流崩塌  热电子应力  大电场应力  
2007年第01期 《微电子学》
GaN HFET的沟道夹断特性和强电场下的电流崩塌第453-460页
关键词: 电流崩塌  夹断特性  电荷控制模型  短沟道效应  
2006年第10期 《微纳电子技术》
表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究第121-124页
关键词: gan高电子迁移率晶体管  电流崩塌  脉冲测试  表面态  
2006年第03期 《微纳电子技术》
GaN HEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨第270-272页
关键词: 电流崩塌  串联电阻  氮化镓高电子迁移率晶体管  表面态  
2006年第06期 《微纳电子技术》
GaN HFET的性能退化第976-984页
关键词: ganhfet  性能退化  退化机理  沟道中的强场峰  热电子  能带剪裁  极化电荷  电流崩塌  
2007年第11期 《微纳电子技术》
AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型第3622-3628页
关键词: hemt  直流扫描  电流崩塌  模型  
2006年第07期 《物理学报》
GaNFP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系第2900-2904页
关键词: gan  场板  击穿电压  电流崩塌  
2007年第05期 《物理学报》
AlInN三明治势垒GaN HFET第421-428页
关键词: 铝铟氮三明治势垒  栅流  电流崩塌  二维异质结构  
用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN/GaN异质结能带第31-35页
关键词: cf4  等离子体处理  能带剪裁  f离子注入和势垒层腐蚀  肖特基势垒  欧姆接触  沟道电场控制  电流崩塌  
GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应第-页
关键词: 氮化镓  表面态  电流崩塌