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GaN HFET中的实时能带和
电流崩塌
第313-323页
关键词: 实时能带 非稳态能带 电流崩塌 能带峰耗尽 局域电子气势垒 电流崩塌能带模型 陷阱
2019年第05期
《固体电子学研究与进展》
界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响
第915-921页
关键词: 电流崩塌 aln栅介质插入层 界面处理
2019年第07期
《发光学报》
GaN HFET中的能带峰耗尽
第389-397页
关键词: 电流崩塌 强场峰耗尽 场效应管能带 局域电子气势垒 电流崩塌能带模型
2018年第06期
《固体电子学研究与进展》
一种新型的常通型GaN HEMT器件
第1101-1104页
关键词: 常通型 gan hemt器件 高频 电流崩塌
2018年第05期
《电子器件》
Ⅲ族氮化物HFET中的
电流崩塌
和二维电子气
第15-19页
关键词: hfet 电流崩塌 二维电子气 异质结构
2004年第01期
《微纳电子技术》
基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AlGaN/GaNMISHEMT器件对比
第734-739页
关键词: 同质外延 电流崩塌
2017年第11期
《微纳电子技术》
AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究
第335-338页
关键词: 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 表面态 阶跃脉冲
2007年第03期
《固体电子学研究与进展》
微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计
第456-463页
关键词: 二维异质结构 hfet沟道中的强场峰 能带剪裁 极化电荷 电流崩塌
2007年第05期
《中国电子科学研究院学报》
GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
第856-858页
关键词: 氮化镓 表面态 电流崩塌
2006年第11期
《半导体技术》
GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
第722-724页
关键词: gan hemt 电荷输运 表面态 电流崩塌
2006年第06期
《微电子学》
应力对GaN HEMT器件
电流崩塌
的影响
第5-8页
关键词: gan hemt 电流崩塌 热电子应力 大电场应力
2007年第01期
《微电子学》
GaN HFET的沟道夹断特性和强电场下的
电流崩塌
第453-460页
关键词: 电流崩塌 夹断特性 电荷控制模型 短沟道效应
2006年第10期
《微纳电子技术》
表面态对GaN HEMT
电流崩塌
效应影响的研究
第121-124页
关键词: gan高电子迁移率晶体管 电流崩塌 脉冲测试 表面态
2006年第03期
《微纳电子技术》
GaN HEMT栅源与栅漏表面态与
电流崩塌
相关性探讨
第270-272页
关键词: 电流崩塌 串联电阻 氮化镓高电子迁移率晶体管 表面态
2006年第06期
《微纳电子技术》
GaN HFET的性能退化
第976-984页
关键词: ganhfet 性能退化 退化机理 沟道中的强场峰 热电子 能带剪裁 极化电荷 电流崩塌
2007年第11期
《微纳电子技术》
AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描
电流崩塌
机理及其物理模型
第3622-3628页
关键词: hemt 直流扫描 电流崩塌 模型
2006年第07期
《物理学报》
GaNFP-HEMTs中击穿电压与
电流崩塌
的关系
第2900-2904页
关键词: gan 场板 击穿电压 电流崩塌
2007年第05期
《物理学报》
AlInN三明治势垒GaN HFET
第421-428页
关键词: 铝铟氮三明治势垒 栅流 电流崩塌 二维异质结构
2011年第05期
《固体电子学研究与进展》
用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN/GaN异质结能带
第31-35页
关键词: cf4 等离子体处理 能带剪裁 f离子注入和势垒层腐蚀 肖特基势垒 欧姆接触 沟道电场控制 电流崩塌
2009年第01期
《固体电子学研究与进展》
GaN基HEMT
电流崩塌
现象相关的表面陷阱效应
第-页
关键词: 氮化镓 表面态 电流崩塌
2008年第01期
《固体电子学研究与进展》
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