作者：韩茂华; 梁新刚; 黄勇sic薄膜热辐射特性研究吸收率光学性质发射率碳化硅入射波厚度计算半球
摘要：计算了不同厚度的碳化硅(SiC)薄膜的吸收率, 发现厚度在几十至100μm、上下表面平行的碳SiC薄膜的热辐射具有良好的干涉性质. 由于SiC独特的光学性质, 薄膜对10 μm的入射波吸收率达到0.98, 接近黑体的吸收率; 而对于10.5至12.4μm波段的热辐射, 又几乎变得不吸收. 计算还表明, SiC薄膜的半球发射率跟温度有关, 在300至500K之间, 半球发射率比较高.
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