作者：徐进; 雒建斌; 路新春; 张朝辉; 潘国顺化学机械抛光多层布线全局平面化ulsi超大规模集成电路材料去除机理抛光液表面抛光超精密金属材料
摘要：化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing，简称CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术，在超精密表面加工领域得到了大量研究和应用．概述了超大规模集成电路(Ultra-large Scale Integration，简称ULSI)多层布线中硅片、介电层和金属材料以及磁头／硬盘片化学机械抛光材料去除机理的研究现状和发展趋势，重点评述了化学机械抛光过程中抛光液研磨颗粒与抛光片表面间相互作用机制，并提出了材料去除机理的研究方法。
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