作者：李捷soi热微波hcl
摘要：本文针对利用热微波切割法(TM-SOI)获得的SOI(Silicon On Insulator)硅片,采用HCl化学刻蚀去除SOI损伤层和减小粗糙度,获得高质量的SOI硅片。不但能够去除利用热微波切割法(TM-SOI)制备的SOI(Silicon On Insulator)层表面的损伤层、表面粗糙现象,同时能够获得极高表面平坦度的SOI硅片。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《科学技术创新》（CN：23-1600/N）是一本有较高学术价值的大型旬刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《科学技术创新》杂志以刊登实用信息技术转让科研成果为主要内容，侧重于科研成果转让，同时为广大科技、经济工作者提供一个展示平台，以弘扬科教兴国、科学技术是第一生产力为办刊宗旨，读者对象为广大科技、经济教育工作者和中小企业。
省级期刊
人气 845986 评论 70
人气 753201 评论 72
人气 484023 评论 71
人气 463145 评论 66
