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功率MOSFET关键参数的分析研究

作者:贺瑞功率mosfet安全工作区导通电阻寄生电容瞬态热阻

摘要:功率MOSFET因其输入阻抗大、开关速率快、工作频率高以及丰富的封装形式、较大的电压及导通电阻选择范围等优势,广泛应用于电源、通信等不同类型的电力电子变换电路。但功率MOSFET并非完美的开关器件,温度敏感的特征决定使用者必须考虑其热效应对器件性能的影响。本文基于功率MOSFET安全工作区分析了关键参数的特点,阐述了寄生电容及热阻特性,研究了温度对相关参数的影响。

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科学技术创新

《科学技术创新》(CN:23-1600/N)是一本有较高学术价值的大型旬刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《科学技术创新》杂志以刊登实用信息技术转让科研成果为主要内容,侧重于科研成果转让,同时为广大科技、经济工作者提供一个展示平台,以弘扬科教兴国、科学技术是第一生产力为办刊宗旨,读者对象为广大科技、经济教育工作者和中小企业。

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