HI,欢迎来到学术之家,发表咨询:400-888-7501  订阅咨询:400-888-7502  股权代码  102064
0

SiC表面的氢等离子体处理技术

作者:王海波sic氢等离子体ecrrheedxps

摘要:我们采用ECR-PEMOCVD等离子体系统在200℃下对SiC表面进行了氢处理。处理前后我们对SiC表面做了RHEED和XPS分析。通过分析我们发现经过氢等离子体处理的SiC表面比传统湿法的SiC表面平整度更高,C/C-H的含量显著下降,抗氧化能力显著提高提高。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

科学技术创新

《科学技术创新》(CN:23-1600/N)是一本有较高学术价值的大型旬刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《科学技术创新》杂志以刊登实用信息技术转让科研成果为主要内容,侧重于科研成果转让,同时为广大科技、经济工作者提供一个展示平台,以弘扬科教兴国、科学技术是第一生产力为办刊宗旨,读者对象为广大科技、经济教育工作者和中小企业。

杂志详情