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错误记忆的理论模型

作者:刘丽敏; 卢梦薇错误记忆内隐激活模糊痕迹来源监测激活与监测

摘要:研究者采用了多种研究方法,对错误记忆的影响因素进行了深入的探讨。随着这些实验的不断深入,对错误记忆的内在发生机制的理解也越来越深刻。在此基础上,研究者从多个角度提出了许多关于错误记忆的理论解释,并形成了理论模型。比较有代表性的理论模型包括内隐激活反应假设、模糊痕迹理论、来源监测理论和双加工理论等。这些理论模型在探讨错误记忆产生机制时,侧重点有所差异。

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科学技术创新

《科学技术创新》(CN:23-1600/N)是一本有较高学术价值的大型旬刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《科学技术创新》杂志以刊登实用信息技术转让科研成果为主要内容,侧重于科研成果转让,同时为广大科技、经济工作者提供一个展示平台,以弘扬科教兴国、科学技术是第一生产力为办刊宗旨,读者对象为广大科技、经济教育工作者和中小企业。

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