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高压调控拓扑电子材料研究获进展

作者:李瑜电子材料毛河光合作团队南京大学教授科学研究中心拓扑特性外尔半金属量子效应美国科学院

摘要:中科院强磁场科学中心研究员杨昭荣、田明亮与南京大学教授孙建、万贤纲以及北京高压科学研究中心研究员杨、院士毛河光等组成的合作团队,利用高压、强磁场极端条件,在拓扑电子材料的量子序调控研究中取得重要进展,相关成果近日发表于《美国科学院院刊》。伴随着拓扑绝缘体的发现,材料的拓扑特性以及新奇量子效应受到广泛关注,拓扑电子材料家族也从最初的拓扑绝缘体逐渐扩展到狄拉克半金属和外尔半金属等。

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科学观察

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