锑化物纳米线研究取得重要进展

作者：乐毅纳米线中国科学院半导体研究所锑化物重点实验室材料科学三元合金技术路线纳米器件

摘要：【本刊讯】中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室杨涛课题组，在三元合金铟砷锑（InAsSb）纳米线制备及机理研究方面取得了系列重要进展，为未来制备高度集成的Ⅲ-Ⅴ族纳米器件开拓了新的技术路线。

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