作者：王颖脱氢表雄酮硫酸酯地佐环平记忆pc12
摘要：为了探讨脱氢表雄酮硫酸酯对地佐环平所致记忆小鼠的作用及对PCI2细胞钙离子的影响。本研究采用地佐环平（0．15rag·kg-1，ip）造成小鼠记忆损伤模型，利用被动逃避实验评价小鼠记忆成绩。培养的PCI2细胞用Fura-2／AM负载．用荧光分光光度计测量PCI2细胞钙离子变化。在被动逃避实验中，地佐环平造成小鼠记忆损伤，脱氢表雄酮硫酸酯（10、20mg·kg，SC）预处理能减少跳台错误次数（P〈o．01），延长跳台潜伏期（P〈0．01）和避暗潜伏期（P〈0．01）。NMDA刺激的PCI2细胞模型[Ca2＋]．明显增高（P〈0．05），脱氢表雄酮硫酸酯（100~mol-L‘）预’‘处理后与模型组相比[Ca2＋]．明显增高（P〈0．01）。研究结果表明，脱氢表雄酮硫酸酯可以改善地佐环平所致记忆损伤．机制可能与其能提高NMDA受体功能有关。
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