作者:张玉才; 木合塔尔·吐尔洪; 贾淑平; 晏小...纳米材料三氧化钨紫外吸光度
摘要:纳米三氧化钨是一类具有宽禁带系数的n型半导体,它的禁带宽度在2.5~3.5 eV之间.作为一类具有开发潜力的半导体材料,它在气体传感器、光催化及电极材料等领域都显示出广泛的应用前景.由于形貌对纳米三氧化钨的紫外吸光度有着重要的影响,因此制备和研究不同结构的三氧化钨受到了人们越来越多的青睐.利用硫脲作为辅助剂,通过水热条件合成了不同结构的纳米三氧化钨粉体,并对前驱体和纳米三氧化钨的紫外吸光度进行了研究.
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