GeCl4含氢杂质脱除工艺研究

作者：卢宇飞; 雷霆; 王少龙光纤gecl4含氢杂质脱除技术

摘要：制备光纤用GeCl4需要二项关键技术的支撑,分别是深度脱除GeCl4中的金属杂质和含氢杂质。深度脱除金属杂质,国内外厂家已有成熟的技术和工艺设备实现。深度脱除含氢杂质,则是整个光纤用GeCl4制备工艺的技术难题。目前,国内缺乏能生产高品质光纤用GeCl4的技术和厂家,绝大多数光纤用GeCl4产品依赖国外进口。因此,研究脱除GeCl4含氢杂质的工艺技术,对于我国锗产业打破国外技术封锁,提高经济效益和国际竞争力有着重要意义。以某厂高纯GeCl4为原料,选择蒸馏工艺进行试验,对GeCl4中含氢杂质的去除工艺技术进行研究,为制备高品质光纤用GeCl4提供技术参考和支持。研究结果表明,共同蒸馏工艺提纯GeCl4,可以较好地除去GeCl中的含氢杂质。

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