碳化硅电力电子器件技术发展现状与趋势

作者：陈硕翼; 张丽; 唐明生; 李建福电力电子器件技术发展现状碳化硅宽禁带半导体电子产品器件技术第三代高温度

摘要：以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的电力电子产品提供飞跃的机遇。本文对碳化硅电力电子器件技术国内外发展现状与趋势进行了梳理,并提出了我国进一步发展重点和对策建议。

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