作者：罗志华 权进国 杨华中后端设计ic设计层次法eos
摘要：本文分析了深亚微米后端设计流程,提出基于层次法实现芯片后端设计的方法,并且在0.18um CMOS工艺下实现6百万门的EOS芯片。在超大规模的芯片后端设计中,层次法设计方法优于展平法的设计方法。
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《科技与创新》（CN：14-1369/N）是一本有较高学术价值的大型半月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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