作者：王骥; 邱家稳; 秦晓刚; 马亚莉介质深层充电geant4充电动力学ric
摘要：针对航天器介质深层充电问题，提出了一种基于蒙特卡罗模拟和充电动力学RIC模型的介质电荷分布及电场预估新方法，利用地面试验验证了其正确性，航天器介质平板充电过程被简化为屏蔽铝板与分层介质组成的Geant4模型，通过统计方法计算出了实际入射束流下Teflon介质内的注入电流密度和剂量率分布曲线，利用RIC模型获得了背面接地时介质中的电荷密度和电场分布，利用脉冲电声法（PEA）对不同束流密度辐照下的Teflon内部空间电荷密度进行了测量，数值模拟和地面试验结果表明，Teflon在100keV能量电子辐照下，电荷密度和电场随着束流密度的增加而不断增大，其电荷密度峰值位置约为0．042mm，且背面接地时接地侧电场最大，由于Geant4粒子输运模拟和RIC模型具有通用性，因此该方法适用于各种航天器介质材料．
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