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GaN基半导体技术的空间应用研究与展望

作者:唐林江; 陈滔; 张宝林; 万成安空间太阳能电站宽禁带半导体ganhemtingan

摘要:空间太阳能电站需要高效率、良好环境适应性和长寿命的新型光电转换材料和大功率半导体器件。从功率器件和太阳能电池两个方面,概述了宽禁带半导体在太阳能技术中的应用和研发动态。采用宽禁带半导体设计的GaN高效固态功放和禁带宽度从0.7eV(InN)-3.4eV(GaN)连续可调的InGaN直接带隙的太阳能电池具有可靠性高、效率高、体积小、质量轻、高抗辐射能力等优点。因此,随着GaN基宽禁带半导体材料及器件的进一步发展,可助推空间太阳能电站早日实现。

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空间电子技术

《空间电子技术》(CN:61-1420/TN)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《空间电子技术》继续遵循办刊宗旨,坚持为科研和预研工作服务,面向广大读者,努力使本刊成为宣传空间电子技术的窗口;成为广大技术人员发表研究成果、开展学术交流、探讨前沿技术的重要“园地”;成为沟通、联系作者、读者之间的“桥梁”和“纽带”;成为了解国内外相关信息的重要“渠道”;为我国航天事业的发展作出应有的贡献。

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