作者:柳琦二硫化钼异质结构光电性能
摘要:文章通过化学气相沉积(CVD)法制备大面积的高质量双层MoS2二维材料,光致发光测试表明材料具有较好的发光特性。在此基础上,利用湿法转移技术将双层MoS2二维材料转移至p-Si衬底上,实现高性能MoS2/p-Si异质结的构筑。MoS2/p-Si异质结表现出明显的光响应特性,这得益于内建电场促进了光生电子-空穴对的有效分离。本工作为发展高质量的多功能器件提供了新的技术思路。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《科技创新与应用》(CN:23-1581/G3)是一本有较高学术价值的大型旬刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《科技创新与应用》具有一定学术和应用价值的学术文献和反映各学科、各领域的新成果、新工艺、新产品等方面的论述文章,为科技工作者搭建学术交流平台。
部级期刊
人气 1074362 评论 53
省级期刊
人气 807357 评论 68
人气 753215 评论 72
人气 473450 评论 78