作者：任卫朋; 刘凯; 罗燕; 陈靖; 余之光功率芯片ausn20焊料共晶焊接
摘要：针对GaAs功率芯片共晶焊接工艺中,因焊接空洞、虚焊致使芯片烧毁的问题,对AuSn20共晶焊接技术进行研究。通过自动共晶设备,对共晶温度曲线参数进行实验分析。结果表明,共晶温度曲线设置260℃、320℃的温度梯度可以保证焊料的充分融化、浸润,共晶熔融时间控制在15-30s可以形成适量的IMC层。对优化后的共晶焊接面进行热阻分析,在满负荷条件下,功率芯片最高节温为93℃,满足小于125℃的要求,说明共晶质量良好。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
