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快速高温热退火对InGaNAs/GaAs量子阱的影响

作者:牛智红; 任正伟; 李树英; 贺振宏inganas快速热退火spinodal分解

摘要:从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs量子阱材料在高温热退火过程中的结构和物理性能的变化。在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移。

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科技创新与生产力

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