Flash存储器并行耐久测试方案研究

作者：郭慧莹flash存储器并行耐久

摘要：传统的Flash存储器在擦写耐久测试中存在着效率低的问题,为解决这一问题,提出了Flash存储器并行耐久测试方案,通过试验对Flash存储器芯片的扇形擦写耐久性进行测试,统计了各个扇区的擦写次数以及耐久测试的时间,分析数据可以得出该方案能够有效提升Flash存储器芯片中扇区的测试效率,为企业节省了测试成本。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社