作者：黄祥贤高压低损耗瓷介电容mlcc钛酸钡
摘要：采用固相法合成工艺制备了多组分掺杂钛酸钡陶瓷,研究各组分对材料系统的介电性能的影响。结果表明,当ZnNb2O6、Sm2O3、BaB2O4、MnCO3的掺入量分别为12wt%、3.0wt%、2.0wt%和0.15wt%时,材料系统的介电常数、介质损耗、击穿强度和绝缘电阻分别388、0.0005、>13kv/mm、>107MΩ。整体表现出高耐压低损耗的卓越介电性能,成功实现了具有线性高压低损耗瓷介电容材料的研制。
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