阳极氧化制造方法埋入式英飞凌科技舒尔策莫德贝尔格
摘要：该发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据半导体装置的制造方法,从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中。通过将半导体本体浸入电解液中并且在半导体本体与接触电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在第一沟槽的底侧形成阳极氧化物结构。
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《科技创新导报》（旬刊）创刊于2004年，由中国航天科技集团公司主管，中国宇航出版有限责任公司;北京合作创新国际科技服务中心主办，CN刊号为：11-5640/N，自创刊以来，颇受业界和广大读者的关注和好评。
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