作者：蔡磊; 王赞超; 荆游ntc晶界电性能b值
摘要：热敏电阻可用于多种的温度传感器中。现以Mn_3O_4、MO（非磁性保密材料）为原料,质量分数比为x：（3-x）（x=0、0.1、0.2、0.5、1.0）的SiO_2和CuO为掺杂剂,采用传统固相反应法制备了NTC热敏电阻元件,研究了该元件的微观结构及电性能。研究表明：Cu和Si的加入一方面影响晶粒的大小及气孔率,进而影响元件的阻温曲线;另一方面,SiO_2和CuO均进入到B位,二者的共同作用降低电阻率,提高B值。当x=0.2时,在1373K烧结获得的样品有较好的电性能。
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