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几种功率MOSFET元胞结构的比较

作者:宁润涛; 赵欢; 王秀明功率mosfet元胞工艺流程

摘要:对几种常见功率MOSFET的元胞结构、工艺流程和电学参数特点进行了介绍和分析,指出了各类元胞结构的优缺点和工艺实现上的难点,给出了对不同的电压范围应采用的元胞结构的意见。

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科技创新导报

《科技创新导报》(旬刊)创刊于2004年,由中国航天科技集团公司主管,中国宇航出版有限责任公司;北京合作创新国际科技服务中心主办,CN刊号为:11-5640/N,自创刊以来,颇受业界和广大读者的关注和好评。

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