作者：徐非外延层过渡区自掺杂
摘要：该文主要对VDMOS器件用N/N＋型外延层工艺进行了分析,从造成过渡区展宽的三种因素进行了重点分析,并采用不同的工艺条件进行了相关的对比试验和研究,总结了外延层过渡区工艺规律并提出了改善方案。
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《科技创新导报》（旬刊）创刊于2004年，由中国航天科技集团公司主管，中国宇航出版有限责任公司;北京合作创新国际科技服务中心主办，CN刊号为：11-5640/N，自创刊以来，颇受业界和广大读者的关注和好评。
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