作者：赵云清射频磁控溅射介电特性介电常数
摘要：采用射频（RF）磁控溅射法在P型（100）Si基片上沉积了HfO2薄膜,利用HP4294A测试了薄膜的介电特性。结果显示：在不同功率下制备的HfO2薄膜的漏电特性良好,介电常数最高达到24,接近于理论值25。
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《科技创新导报》（旬刊）创刊于2004年，由中国航天科技集团公司主管，中国宇航出版有限责任公司;北京合作创新国际科技服务中心主办，CN刊号为：11-5640/N，自创刊以来，颇受业界和广大读者的关注和好评。
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