作者:陈洪; 杨珺; 杨贤镛透明导电薄膜导电性能锑掺杂二氧化锡薄膜导电率
摘要:透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。本文介绍了掺锑氧化锡(ATO)薄膜的导电机理和光电性能。掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈+4价,掺杂的Sb分别以+5和+3价形式存在。对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。
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《科技创新导报》(旬刊)创刊于2004年,由中国航天科技集团公司主管,中国宇航出版有限责任公司;北京合作创新国际科技服务中心主办,CN刊号为:11-5640/N,自创刊以来,颇受业界和广大读者的关注和好评。
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