作者：柳维林; 林云娇; 陶静缺血性脑卒中缺血周围纹状体区神经细胞自噬电针曲池足三里
摘要：目的：观察电针曲池、足三里穴对大脑中动脉阻塞（MCAO）缺血再灌注损伤大鼠缺血周围纹状体区神经细胞自噬的影响。方法：将36只SD大鼠按照随机数字表分为假手术组、模型组和电针组各12只。参考Koizumi线栓法构建MCAO大鼠模型后,电针组采用电针曲池、足三里穴干预3 d,假手术组和模型组不予以电针刺激。TTC染色观察梗死体积,电镜观察自噬体和线粒体结构,并检测自噬标志蛋白微管相关蛋白1轻链3B（1ight chain 3B,LC3B）的表达水平。结果：TTC染色显示,电针组MCAO大鼠脑梗死体积较模型组减少（P〈0.05）;电镜观察发现,模型组溶酶体和自噬泡数量增加,而电针组该现象减弱;电针组LC3BⅡ/LC3BⅠ水平较模型组升高（P〈0.05）。结论：在脑缺血再灌注损伤亚急性期,电针曲池、足三里穴可抑制缺血周围纹状体区因溶酶体和自噬溶酶体过度释放引起的神经细胞自噬性死亡,其机制还有待进一步研究。
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