作者：李梦婷; 张文雪氧化锌第一性原理电子结构半导体技术p型共掺杂技术
摘要：本文对p型掺杂ZnO晶体的电子布局、差分电荷、电子结构、电子态密度进行了分析,对ZnO材料p型掺杂精细结构进行了计算。所有计算都是以密度泛函理论框架下的第一原理为基础。通过计算得出：在能隙中掺杂V族元素的氧化锌材料引入了深受主能级,载流子局域在甲带顶附近。而通过加入激活施主的共掺杂技术得出,由于受主能级向低能方向移动,从而形成了浅受主能级。
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