作者：付力; 孙慧斌激光疗法小剂量根管疗法温度牙本质小管
摘要：目的探讨功率1 W和3 W的半导体激光根管内照射对根管壁形态的影响,同时观测不同剂量不同时间激光照射根管时根管壁外表面温度的变化。方法选取30颗根尖发育完成的成人单根管新鲜离体牙,随机分为5组,每组6颗牙。空白对照组：仅进行机械根管预备;实验1组：机械根管预备＋1 W激光照射10s;实验2组：机械根管预备＋1W激光照射20s;实验3组：机械根管预备＋3W激光照射10s;实验4组：机械根管预备＋3 W激光照射20s。激光照射各组每次激光照射时间为5s,每次照射完成后间隔5s,然后按时间要求重复照射。5组均采用扫描电镜观察根管壁表面形态变化,实验组用红外线成像仪跟踪监测从激光照射前到激光照射完成过程中根管壁外表面温度变化。结果与空白对照组比较,结合半导体激光照射可有效去除牙本质表面的玷污层,封闭牙本质小管口,实验2组效果最理想,与实验1、2组比较,实验3、4组的根管内壁可见裂纹。实验1、2、3组激光照射前后根管壁外表面的温度变化均低于引起牙根及其周围组织损伤的10℃的阈值,而实验4组的温度变化高于此阈值。结论常规根管预备结合半导体激光1W照射20s既可得到良好的根管壁形态,又不会造成牙根和根周组织的损害。
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