作者：徐永平; 陈扬东; 龚俊杰单晶硅片切割法残余应力低温热处理
摘要：为了了解热处理工艺对单晶硅片残余应力的影响,选取了PHOS-5和BORON-9两种材料的五吋单晶硅片试样,通过切割法研究同种材料在扩散炉内不同位置以及低温热处理温度改变后硅片内残余应力的变化情况。研究表明：硅片中的最大残余应力普遍存在于单晶硅片的边缘部分,硅片在炉内位置的变化并不能明显改变硅片的残余应力;在炉内最高温度相同的情况下,当低温热处理温度不同时,单晶硅片中残余应力的释放也不同,从而引起硅片内的最大残余应力有明显的改变。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
