作者:赵建君; 宋春荣; 牛燕雄损伤辐照激光半导体材料物理模型数值分析实验结论理论模型温度场圆柱形解析解合理性高斯
摘要:在建立高斯型连续激光辐照半导体材料InSb物理模型的基础上,采用解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的三维温度场.通过数值分析得出了在连续激光辐照时,InSb发生的是熔融损伤的结果,并计算出相应的损伤阈值.对理论计算与实验结论进行了比较,验证了理论模型的合理性.
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