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单晶SiC化学机械抛光液的固相催化剂研究

作者:徐少平; 路家斌; 阎秋生; 宋涛; 潘继生碳化硅化学机械抛光芬顿反应固相催化剂去除效率

摘要:针对单晶Si C化学机械抛光使用的抛光液,研究了产生芬顿反应Fe、Fe O、Fe2O3、Fe3O4等4种铁系固相催化剂的效果。结果发现当Fe3O4作为催化剂时,Si C表面能够产生明显的化学反应,生成较软易去除的Si O2氧化层,化学机械抛光时材料去除率最高达到17.2 mg/h、表面粗糙度最低达到Ra2.5 nm。相比Fe、Fe O、Fe2O3等固相催化剂,Fe3O4更适宜用作Si C的化学机械抛光。抛光液中Fe^2+离子浓度和稳定性是决定芬顿反应速率和稳定性的重要因素,固相催化剂电离自由Fe^2+能力的差异直接影响了化学抛光液中的Fe^2+浓度,固相催化剂电离Fe^2+的能力越强,抛光液中Fe^2+浓度就越高,芬顿反应速率越快,与Si C进行化学反应速度越快,材料去除率越高,抛光质量越好。

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机械工程学报

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