作者：谢正生; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 曹萌低温金属键合垂直腔面发射激光器反射谱光致荧光谱
摘要：研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜（DBR）的反射率.实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求.对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的.这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中.
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