作者：王平; 杨银堂; 屈汉章; 杨燕; 李跃进; 贾...电子输运特性数值模拟carlo法杂质散射声子散射电子迁移率声学声子输运过程实验数据模拟结果变化规律漂移速度电场强度形变势中性瞬态接近系综光学电离
摘要：利用系综Monte Carlo法研究了2H-,4H-和6H SiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型电子迁移率同温度的关系,并以4H-SiC为例,重点分析了中性杂质散射的影响.最后对高场下电子漂移速度的稳态和瞬态变化规律进行了研究.将模拟结果同已有的实验数据进行了比较,发现当阶跃电场强度为1.0×106V·cm-1时,4H-Sic电子横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm·s-1,6H-Sic接近3.0×107cm·s-1.
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